[实用新型]一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构

摘要

本实用新型属于芯片制造技术领域，具体提供了一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次层叠有缓冲层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、AlxGaAs层及帽层，所述AlxGaAs层及帽层还设有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括含砷(As)或者含磷(P)系列或者两者的组合物。该结构在制造过程里，在刻蚀过程中不会出现将P型DBR刻蚀掉一部分的情况，因此当器件处于工作状态时也就不会出现当工作电流较大时载流子会因为浓度过大出现载流子分布不均匀，从而从根本上提高了器件结构性能可靠性，提升了产品使用寿命。