[实用新型]一种浅沟道超结MOS半导体功率器件有效
| 申请号： | 202022095236.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212907744U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，该器件包括：N型重掺杂衬底，在N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P型阱区上且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，在远离栅结构区的N型重掺杂源区一侧相邻接的P型重掺杂源区，在P型阱区和N型重掺杂区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，栅结构引出栅极，N型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过N型轻掺杂区可以有效地减小栅沟道的比导通电阻，通过超结结构可以提高该器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 mos 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯一代集成电路有限公司，未经厦门芯一代集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022095236.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
