[实用新型]一种超结IGBT的半导体功率器件有效
| 申请号： | 202022095317.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212907745U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超结IGBT的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂沟道区，该区设置在P型阱区中间，在P型阱区且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相邻接的P型重掺杂源区，P型阱区和N型轻掺杂沟道区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出集电极。该器件通过N型轻掺杂区可以减小栅沟道的比导通电阻，通过超结可以提高该器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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