[实用新型]一种沟槽MOSFET结构有效
| 申请号： | 202022101136.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213026140U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽MOSFET结构，包括衬底和外延层，所述外延层设置在所述衬底上，所述外延层上设置有沟槽、栅氧化层和多晶硅，所述栅氧化层设置在所述沟槽的表面，所述多晶硅设置在所述栅氧化层的表面且所述多晶硅填充沟槽，所述外延层的表层设置有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区设置在所述沟槽的外表面，所述第一掺杂区与栅氧化层的间隔距离等于第二掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度。本实用新型提供的沟槽MOSFET的结构具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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