[实用新型]一种用于多晶硅片的八道刻蚀上料机有效
申请号: | 202022111624.4 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN212783404U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 季徐华;何超 | 申请(专利权)人: | 无锡森顿智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聂启新 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种用于多晶硅片的八道刻蚀上料机,包括机架,所述机架的顶部安装有导料组件,所述机架的两侧安装有进料组件,所述机架的一侧安装有电控箱,所述电控箱电性连接导料组件和进料组件,所述导料组件包括底板、导料滑轨和出料传输带,所述底板固定在机架的顶部,所述底板的顶部一侧平行安装有八个导料滑轨,所述导料滑轨的一侧安装有八个平行分布的出料传输带。本实用新型结构新颖,构思巧妙,传输的过程中稳定性好,避免硅片在传输的过程中振动,降低硅片隐裂的可能性,大大提升硅片上料的安全性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 多晶 硅片 刻蚀 上料机 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造