[实用新型]一种AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置有效
申请号: | 202022115747.5 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN212725252U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张文旭;胡凯琳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,包括修调模块、电源模块、电压检测模块和激光修调仪,修调模块包括接在惠斯通电阻桥两侧的两个修调单元,修调单元包括多个并联的电阻元件,且最外侧电阻元件宽度比内侧电阻元件宽度大;电源模块提供测试电压,电压检测模块在相同的条件下进行测量获得惠斯通电阻桥两侧的输出电压值U1、U2;激光修调仪根据测量结果对修调模块中的电阻元件进行激光修调,当U1‑U2大于设定范围的最大值时,对连接U2一侧的修调单元中电阻元件进行激光切割;当U1‑U2小于设定范围的最小值时,对连接U1一侧的修调单元中电阻元件进行激光切割,每次切割后继续测量并根据测量结果判断是否继续切割,直到测量结果满足要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 amr 各向异性 磁阻 传感器 斯通 电阻 桥修调 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造