[实用新型]高电子迁移率晶体管器件和电子器件有效
| 申请号： | 202022119175.8 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN213459743U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | D·G·帕蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管器件和电子器件。多个实施例涉及一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有第一表面；第一异质结构和第二异质结构，在衬底上并且彼此面对，第一异质结构和第二异质结构中的每个异质结构包括在衬底的第一表面上的第一半导体层、在衬底的第一表面上的第二半导体层以及在第一半导体层与第二半导体层之间的二维电极气体2DEG层；掺杂半导体层，在第一异质结构与第二异质结构之间；以及源极接触，在第一异质结构和第二异质结构上。利用本公开所提供的实施例在增加速度和减少杂散电感方面具有显著优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 器件 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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