[实用新型]一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管有效
| 申请号： | 202022141624.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN212783464U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L27/06 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的金属区，该金属区设在N型轻掺杂区中间，N型轻掺杂区和金属区上表面的硅氧化物区，硅氧化物区上的P型掺杂区和低掺杂本征半导体区，该低掺杂本征半导体区设在P型掺杂区两侧，覆盖P型掺杂区上表面、且贯穿P型掺杂区并延伸至金属区上表面的正极，低掺杂本征半导体区上表面的绝缘区，N型重掺杂区上表面的负极。该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和N型重掺杂区构成的PIN二极管，有效地降低该器件的开关损耗和提高其开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 槽型肖特基 pin 二极管 | ||
【主权项】：
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