[实用新型]一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构有效
| 申请号： | 202022166787.2 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN212783425U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张玉佩;张茹;安勇 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L25/18;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 戎德伟 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，基板上端中部通过锡膏烧结有主DBC板，主DBC板上通过锡膏烧结有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片和FRD芯片之间通过铝线超声键合，主DBC板上端设有功率端子触点；基板上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板，辅助DBC板上端承载有热敏电阻，第一辅助DBC板上端还设有与热敏电阻电连接的温度信号输出触点；基板上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板，第二辅助DBC板上端设有信号端子触点；引线端子与温度信号输出触点电连接，信号端子与信号端子触点电连接，功率端子与功率端子触点电连接。本技术方案能够监测IGBT模块芯片的结温，避免芯片温度过高引起的失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 温度 igbt 功率 半导体 模块 结构 | ||
【主权项】：
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