[实用新型]一种硅片用槽式抛光装置有效
申请号: | 202022184778.6 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN212934645U | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 陈其成;裴银强;陈培良 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/08;B08B3/12 |
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地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅片用槽式抛光装置,包括依次设置的预清洗槽、第一水洗槽、碱液槽、第二水洗槽、后清洗槽、第三水洗槽、酸洗槽、第四水洗槽及烘干槽,所述碱液槽的槽体底部设置有超声波震动装置,所述超声波震动装置位于碱液槽中花篮的第一侧端支撑架的底部。本实用新型提高了硅片抛光后的表面质量,降低了不良品的产生;抛光反应更加完全、更加均匀,在一定程度上可以减少抛光工艺时间,提高产能;减少了消泡剂等化学品的使用量,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 用槽式 抛光 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的