[实用新型]一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构有效

专利信息
申请号: 202022203803.0 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212303631U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 潘远杰;周祖源;薛兴涛 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/3105
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构,结构至少包括:焊盘结构,包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极,所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构;胶层,形成于所述重布线介质层上;基板,贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺,使重布线介质层的表面变粗糙,使其具有良好的亲水性,从而有利于临时键合胶粘剂流动性,实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触,减少后续的高温CVD过程中气泡的产生,从而降低边缘破裂的风险,可以提高产品的产量并可以增加产率。
搜索关键词: 一种 减少 临时 过程 气泡 形成 结构
【主权项】:
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