[实用新型]一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构有效
申请号: | 202022203803.0 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN212303631U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 潘远杰;周祖源;薛兴涛 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/3105 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构,结构至少包括:焊盘结构,包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极,所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构;胶层,形成于所述重布线介质层上;基板,贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺,使重布线介质层的表面变粗糙,使其具有良好的亲水性,从而有利于临时键合胶粘剂流动性,实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触,减少后续的高温CVD过程中气泡的产生,从而降低边缘破裂的风险,可以提高产品的产量并可以增加产率。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 临时 过程 气泡 形成 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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