[实用新型]晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202022252777.0 申请日: 2020-10-10
公开(公告)号: CN214060710U 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 陈翼;刘奇;黄末;冯参;冯厚坤 申请(专利权)人: 徐州鑫晶半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 欧阳高凤
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置,晶体生长装置包括炉体、坩埚和冷却套,冷却套沿坩埚的轴向可移动,控制系统包括量测装置、调节装置和控制装置,量测装置用于获取晶体等径生长阶段的直径,调节装置用于驱动冷却套沿坩埚的轴向移动,控制装置与量测装置和调节装置分别通信,且控制装置用于根据量测装置的反馈控制调节装置的状态。根据本实用新型的晶体生长装置的控制系统,便于调整固液界面处的温度梯度,使得晶体缺陷较少、直径满足预定直径。
搜索关键词: 晶体生长 装置 控制系统
【主权项】:
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