[实用新型]一种态密度耦合半导体激光器有效
| 申请号： | 202022259800.9 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN212659828U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 季海铭;罗帅;徐鹏飞;王岩 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种态密度耦合半导体激光器，其不同之处在于，其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层。本实用新型可以实现具有低阈值、波长易调控、高温度稳定性的半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 耦合 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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