[实用新型]一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置有效
| 申请号： | 202022273276.0 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN213651867U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李帅;刘耀华;冯琳琳;秦莉 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，该装置包括坩埚和石墨板，坩埚的上方和下方均设置有电子束发射机构，电子束发射机构用于向坩埚发射电子束；石墨板设置在坩埚内部，且沿坩埚的轴向延伸，石墨板上开设有多个安装槽，安装槽用于放置碳化硅衬底。通过坩埚上方和下方设置的电子束发射机构，对坩埚进行加热，电子束冲击坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，由于瞬时高温，碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，避免了氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面表面硅富集严重削减的问题，且多个安装槽的设置，可实现多个衬底同时生产石墨烯，提高了石墨烯生长的质量和数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 外延 生长 石墨 装置 | ||
【主权项】：
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