[实用新型]一种用于碳化硅晶片退火的装置有效
| 申请号： | 202022301952.0 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN214032757U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;张木青;徐现刚;王垚浩 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于碳化硅晶片退火的装置，通过在坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板，并且设置各夹层板沿坩埚体的轴向方向排布，相邻的夹层板之间具有一定的间距。这样，在碳化硅晶片退火时，在各夹层板上分别摞若干片碳化硅晶片，与将所有的碳化硅晶片直接摞在一起相比，可以有效防止碳化硅晶片的晶片重量增加，导致晶片之间压得过紧，氧化后难分离的问题。同时，在各夹层板上开设通孔，可以保证空气的流通，进而可以保证各晶片之间的空气流通，有助于减少晶片黏连。因此，本申请实施例可以解决碳化硅晶片退火后晶片不好分离的问题，可以有效降低裂片、破片率，还可以在坩埚内放置更多的晶片，提高退火效率并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 晶片 退火 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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