[实用新型]新型高抗动态闩锁能力的功率器件有效
申请号: | 202022302550.2 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN213459737U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 | 申请(专利权)人: | 江苏宏微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/085 | 分类号: | H01L27/085;H01L27/088 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 陈红桥 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件,包括多个元胞结构,每个元胞结构包括衬底,衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区,沟槽内设有沟槽栅,第一阱区和第二阱区分别设于沟槽两侧,第一阱区和第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区,第一源区和第二源区分别设于沟槽两侧,第一源区、第二源区和沟槽栅顶部设有金属层,其中,第一源区与第一阱区之间设有第一绝缘层,第二源区与第二阱区之间设有第二绝缘层。本实用新型能够在不影响阈值电压的情况下,实现高抗动态闩锁能力。 | ||
搜索关键词: | 新型 动态 能力 功率 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的