[实用新型]一种高亮度LED芯片有效
| 申请号： | 202022331287.X | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN213988914U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;李进 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极结构，所述电极结构包括电流扩展条、焊盘和连接层，所述电流扩展条和焊盘设于外延层上，所述连接层设于电流扩展条连接段上并与焊盘连接，所述焊盘和连接层的结构相同并同时形成；所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成。本实用新型采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成电极结构，发挥两者的优点，既可以提高芯片的亮度和电流扩展性，又不影响封装打线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 led 芯片 | ||
【主权项】：
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