[实用新型]碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 202022333807.0 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN213752715U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;林苡任;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;朱明明 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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