[实用新型]新型激发电极可变位置离子阱系统有效
| 申请号： | 202022353854.1 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN213459640U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赵高升;施月娥 | 申请（专利权）人： | 杭州蔚领知谱检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京中南长风知识产权代理事务所(普通合伙) 11674 | 代理人： | 郑海 |
| 地址： | 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了新型激发电极可变位置离子阱系统，包括门电极一、门电极固定座一、阱电极固定座一、镀层极片一、X激发电极一、Y电极一、Y电极二、X激发电极二、镀层极片二、阱电极固定座二、门电极二和门电极固定座二，X激发电极一和X激发电极二相远离一侧分别设有镀层极片一和镀层极片二，镀层极片一的一侧加装有金属镀层一，镀层极片二的一侧加装有金属镀层二，通过改变镀层极片的厚度，来实现X激发电极一、X激发电极二之间相对距离的调整，降低仪器加工难度的同时，实现了拉出距离的灵活调节，同时金属镀层上施加一定的直流电压，对从阱内弹出的离子束进一步聚焦处理，增强仪器灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 激发 电极 可变 位置 离子 系统 | ||
【主权项】：
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