[实用新型]一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用二维金属相二硫化钼（MoS2）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维SiC材料作为衬底，二维MoS2材料作为源、漏电极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度小于5.1nm时，器件关态电流小于0.1µA/µm，实现正常关断；开态电流不小于940µA/µm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。