[实用新型]一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202022398654.8 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN214280003U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片，该InAlGaN超晶格结构为多周期循环结构，每一个周期都包括InGaN阱层、位于所述InGaN阱层上的InAlGaN盖层、位于所述InAlGaN盖层上的GaN盖层和位于所述GaN盖层上的n型InAlGaN垒层。该结构的InAlGaN超晶格结构为低温InAlGaN超晶格结构，其能有效地缓解晶体中的应力，抑制线性位错的延伸，从而降低核心区域量子阱垒层的缺陷密度，提高量子阱质量，进而提高紫外GaN基发光二极管的光效和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inalgan 晶格 结构 具有 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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