[实用新型]离子源及离子刻蚀设备有效
| 申请号： | 202022399024.2 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN213184195U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修 | 申请（专利权）人： | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J27/18 | 分类号： | H01J27/18;H01J37/08;H01J37/305 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 王大国 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种离子源及离子刻蚀设备，包括栅栏、射频电源线圈、石英腔、气流导向结构和用于调节离子源产生的离子流密度的可调磁场装置，所述可调磁场装置包括至少三个不同轴的电磁铁，所有电磁铁均连接有调节角度的驱动装置，所有电磁铁之间相互独立，通过改变各个电磁铁的电流和倾斜角，产生不同强度和方向的磁场，它们就可以独立或者共同耦合来改变离子流的密度，进而提高整个区域的刻蚀速率均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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