[实用新型]一种芯片制造真空覆膜装置有效
| 申请号： | 202022431057.0 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN212991052U | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 曾少亚 | 申请（专利权）人： | 曾少亚 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东省广州市天河区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种芯片制造真空覆膜装置，包括工作台、压膜框架和抽气腔，所述工作台内部开设有抽气腔，所述抽气腔底部通过螺纹槽连接有三通阀，所述三通阀底部一端通过螺纹槽连接有电磁阀，所述工作台底部一端通过安装架安装有抽气泵，所述工作台顶部开设有预留槽，所述预留槽底部开设有芯片槽，所述芯片槽两侧通过安装槽安装有网板。本实用新型结构简单，操作方便，可以同时对多个芯片进行覆膜，适合被广泛推广和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制造 真空 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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