[实用新型]具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构有效
| 申请号： | 202022443064.2 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN212967714U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宋召海 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P Plus epi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型P Plus epi区；相邻的所述倒T型P Plus epi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。该新型倒T型p plus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 对准 plus 掩蔽 碳化硅 sbd 器件 结构 | ||
【主权项】：
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