[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 202022477870.1 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN213278093U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | M·A·苏弗里德格;S·伯萨库尔;N·W·查普曼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型题为“半导体器件”。本实用新型公开了一种半导体器件,包括多个单光子雪崩二极管像素,其中所述单光子雪崩二极管像素中的每个单光子雪崩二极管像素具有有源区域和无源区域;多个微透镜,其中所述微透镜中的每个微透镜覆盖所述单光子雪崩二极管像素中相应一个单光子雪崩二极管像素的所述有源区域;和容纳栅格,所述容纳栅格覆盖所述单光子雪崩二极管像素的所述无源区域,其中所述容纳栅格的部分插置在所述多个微透镜中的相邻微透镜之间。本实用新型用于半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的