[实用新型]一种DFN1110-6双芯片高密度框架有效
| 申请号： | 202022482007.5 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN212136438U | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李东;崔金忠;张明聪 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑6双芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。通过加强部连接相邻的两个芯片安装单元，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度，能够芯片封装单元布置区域的面积，满足大面具排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfn1110 芯片 高密度 框架 | ||
【主权项】：
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