[实用新型]氮化镓半导体器件封装件有效
| 申请号： | 202022494737.7 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN213716885U | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 姚卫刚;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48;H01L29/417;H01L29/267;H01L29/778 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种氮化镓半导体器件封装件，氮化镓半导体器件封装件包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；外延层制作在硅衬底上，源极金属、栅极金属和漏极金属均位于外延层上，硅衬底的背面设置有金属层；硅衬底和外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，穿硅通孔内设置有电气互连件，电气互连件将源极金属与金属层电连接，金属层与源极端子电连接；漏极金属连接有第一桥接铜片，第一桥接铜片穿过密封材料后与漏极端子电连接；栅极金属与栅极端子电连接。氮化镓半导体器件封装件采用硅衬底且导热性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 封装 | ||
【主权项】：
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