[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 202022541853.X | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN213150786U | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;G05B19/042 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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