[实用新型]一种薄芯片的吸取平台顶出装置有效
申请号: | 202022573291.7 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN213691986U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 沈学新;杨健 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 于浩江 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种薄芯片的吸取平台顶出装置,包含底座,底座上设置有三段式顶出组件,三段式顶出组件的四周设置有直列吸附槽,三段式顶出组件的四角设置有转角吸附槽,直列吸附槽和转角吸附槽设置在底座的上表面,直列吸附槽和转角吸附槽中均设置有真空吸附孔;本方案优化设计了底座上的吸附结构,通过设置直列吸附槽和转角吸附槽来增加底座吸附面积,可以降低芯片与膜的接触面积,在顶出时减小芯片与膜的粘力,更加有利于芯片与膜的剥离;并在每一段顶出部件上均设置了预分离凹槽,在顶出过程中,开槽区域的承载膜与芯片预分离,减少接触面积,便于上方的取片装置将芯片吸走。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 吸取 平台 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造