[实用新型]一种薄芯片的吸取平台顶出装置有效

专利信息
申请号: 202022573291.7 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN213691986U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 沈学新;杨健 申请(专利权)人: 太极半导体(苏州)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 于浩江
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种薄芯片的吸取平台顶出装置,包含底座,底座上设置有三段式顶出组件,三段式顶出组件的四周设置有直列吸附槽,三段式顶出组件的四角设置有转角吸附槽,直列吸附槽和转角吸附槽设置在底座的上表面,直列吸附槽和转角吸附槽中均设置有真空吸附孔;本方案优化设计了底座上的吸附结构,通过设置直列吸附槽和转角吸附槽来增加底座吸附面积,可以降低芯片与膜的接触面积,在顶出时减小芯片与膜的粘力,更加有利于芯片与膜的剥离;并在每一段顶出部件上均设置了预分离凹槽,在顶出过程中,开槽区域的承载膜与芯片预分离,减少接触面积,便于上方的取片装置将芯片吸走。
搜索关键词: 一种 芯片 吸取 平台 装置
【主权项】:
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