[实用新型]一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 202022607214.9 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN213866492U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B15/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘晓佳 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，包括：长晶炉，长晶炉内设置有坩埚，坩埚的开口呈缩口形；长晶炉的外侧设有提拉电机，提拉电机通过升降机构与坩埚的坩埚上盖连接；坩埚的上方设有组合式加热器，组合式加热器包括多个同心设置的加热环，以使得通过控制所述多个同心设置的加热环的加热温度，调节碳化硅单晶在长晶阶段时坩埚内的轴向温梯和径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，通过调节多个加热环整体的温度，控制坩埚内部的轴向温梯，控制每个加热环各自的温度，进而控制热场中特别是晶体生长界面处的径向温梯，使其能够维持较大的晶体边缘径梯，提高边缘质量，同时获得更大尺寸的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 质量 尺寸 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
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