[实用新型]一种850nm波段单载流子高速探测器

摘要

本实用新型涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段单载流子高速探测器，其不同之处在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层和负电极层，所述正电极层位于所述p型接触层上，所述负电极层位于所述第一收集层上且位于所述第二收集层的一侧。本实用新型适于850nm波段工作，有利于提高探测器响应速率，增大探测带宽。