[实用新型]碳化硅结型场效应管有效
| 申请号： | 202022648802.7 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN213988892U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张梓豪 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京知夏律师事务所 11970 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅结型场效应管。该碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底(101)、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层(102)、阻断注入区(103)、设置在碳化硅外延层(102)的左右两侧的两个栅极注入区(104)和两个源极注入区(105)、以及栅极金属电极(107)和源极金属电极(106)，该栅极注入区(104)的正向截面为L型，包括竖直边和垂直边，在侧向沿整个碳化硅外延层(102)延伸，两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边相背对；源极注入区(105)设置在对应的L型截面的横边上，沿整个碳化硅外延层(102)的侧向延伸，阻断注入区(103)与两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱(110)相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 场效应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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