[实用新型]砷喷射室装置及分子束外延设备有效
| 申请号： | 202022701489.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN214271019U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 楼厦;倪健;薛聪 | 申请（专利权）人： | 埃特曼（深圳）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 魏宇星 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种砷喷射室装置及分子束外延设备，所述砷喷射室装置设置于分子束外延设备，包括：砷真空腔，用于对所述砷真空腔内的单质砷加热，以得到四砷分子；热裂解器，用于对所述热裂解器内的四砷分子热裂解处理，以获得砷分子束；控制阀，所述控制阀的输入端与所述砷真空腔的第一输出端连接，所述控制阀的输出端与所述热裂解器的输入端连接，所述控制阀用于调节进入所述热裂解器内的四砷分子的流量；其中，所述四砷分子的热裂解温度大于所述单质砷的加热温度。利用过渡腔体缓冲的方式，来使得四砷分子进入到热裂解器中气压保持稳定，以便于裂解获得的砷分子束数量稳定、裂解比例高，有利于后期在分子束外延设备制备薄膜材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 喷射 装置 分子 外延 设备 | ||
【主权项】：
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