[实用新型]一种低静态功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 202022702053.1 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN213303651U | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨霆;齐春华 | 申请（专利权）人： | 杨霆 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 150026 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种低静态功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，解决了现有SRAM存储器静态功耗较高及易受到单粒子翻转的影响的问题，属于集成电路技术领域。本实用新型采用12个晶体管，其中PMOS晶体管P1～P4和NMOS晶体管N1～N2为上拉晶体管，NMOS晶体管N3～N4、N7～N8为下拉晶体管，NMOS晶体管N5～N6为存取晶体管。这些上拉、下拉和存取晶体管形成四个存储节点，即节点Q、QN、S1和S0。字线(WL)与存取晶体管的栅极相连，位线BL和BLN与存取晶体管的漏极(或源)相连。本实用新型的存储器能够正确地实现读、写和保持操作，且使四个节点存在抗单粒子翻转恢复机制，实现低静态功耗抗多节点翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静态 功耗 粒子 翻转 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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