[实用新型]一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件

摘要

一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，属于太赫兹领域。衬底层水平设置在最下层，绝缘介质层水平设置在衬底的上表面上，保护层a层水平设置在绝缘介质层的上表面上，InSe层平行设置在保护层a层上方，保护层b层为水平设置在InSe层上方，保护层b层完全覆盖InSe层；源电极、漏电极设置在InSe材料两侧，并且源电极、漏电极覆盖裸漏的InSe边缘，顶栅电极绝缘层上方位置，与内部InSe无接触；天线位于源极和栅极远离InSe材料侧，与源极和栅极分别相连。对入射太赫兹波具有更强的吸收能力转换能力、更低的接触电阻、更洁净的工作环境，实现对不同波段太赫兹波的宽谱探测，通过改变栅压实现器件的开关。