[实用新型]一种人工合成反铁磁结构、磁性存储单元及存储器有效
| 申请号： | 202022787692.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN214705445U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵月雷;周艳;杨晟;周钰卿;李晓光;武凯 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种反铁磁结构，反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，非磁性金属层位于第一磁性层和第二磁性层之间，第一磁性层和第二磁性层处于反铁磁耦合状态。本实用新型提供的反铁磁结构可以在不施加外磁场的情况下仅通过正负电流组合的方式即可实现磁畴完全翻转，相对于现有技术减少了施加磁场的装置，大大降低了器件的尺寸，提高了器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 人工合成 反铁磁 结构 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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