[实用新型]半导体工艺设备及其工艺腔室

摘要

本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺腔室，其中工艺腔室包括腔室本体，腔室本体内部具有反应腔，反应腔内设置有加热器和喷头部，待加工的晶片固定在加热器上，加热器能够对待加工晶片进行加热，喷头部包括喷射头和连接柱，喷射头设置在反应腔内，喷射头上的出气口朝向加热器，喷头部能够将工艺气体喷射到位于加热器上的待加工晶片表面，以在晶片表面形成一层沉积膜，连接柱的一端与喷头部连接，另一端穿过腔室本体的上盖延伸至反应腔外，工艺腔室外设置有升降部。本申请中通过将用于控制喷头部的喷射头与加热器间距的升降部设置在反应腔外，在调节喷射头和加热器间距时可以不必打开反应腔，减少了反应腔内环境受到污染的可能性。