[实用新型]半导体红光激光器有效
| 申请号： | 202022817278.1 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN214379252U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张立群;黄勇 | 申请（专利权）人： | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/042 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本实用新型采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 红光 激光器 | ||
【主权项】：
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