[实用新型]一种IGBT功率模块有效

专利信息
申请号: 202022824370.0 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN213816144U 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 朱贤龙;闫鹏修;王咏;周晓阳 申请(专利权)人: 广东芯聚能半导体有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 常柯阳
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种IGBT功率模块,包括:散热底板;封装外壳和半导体芯片,所述封装外壳和所述半导体芯片均设置在所述散热底板的一侧表面,所述半导体芯片位于所述封装外壳内;陶瓷基板,所述陶瓷基板设置在所述半导体芯片远离所述散热底板的一侧,所述陶瓷基板穿出所述封装外壳;其中,所述封装外壳上设置有若干个端子,所述半导体芯片通过所述陶瓷基板与所述端子电连接。本实用新型通过散热底板和陶瓷基板对半导体芯片进行双面散热,提高了散热性能,进而提高了模块的使用寿命,且本实用新型结构简单,简化了模块的封装,降低了IGBT功率模块的生产成本。本实用新型可广泛应用于半导体封装技术领域。
搜索关键词: 一种 igbt 功率 模块
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