[实用新型]一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器有效
申请号: | 202022841683.7 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN213546326U | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 李正;王雪 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/115;H01L27/146 |
代理公司: | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人: | 刘加 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器,包括n×n个像素单元;像素单元包括硅体,硅体其中一端中间设有中心阴极电极,中心阴极电极外围有间隔的设有两个同心方形环阴极电极,中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外面均包有阴极电极表面外的电极金属层;阴极电极表面外的电极金属层两两之间设置有二氧化硅保护层;连接部电极金属层通过连接中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外的阴极电极表面的电极金属层,将中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极连接起来;硅体另一端设置有下表面阳极电极,下表面阳极电极外面包有阳极电极表面外的电极金属层。本实用新型减小了探测器电容,简化了加压方式,降低了读电路的难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 电容 简化 加压 方式 像素 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的