[实用新型]一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器有效

专利信息
申请号: 202022841683.7 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN213546326U 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 李正;王雪 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/115;H01L27/146
代理公司: 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 代理人: 刘加
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器,包括n×n个像素单元;像素单元包括硅体,硅体其中一端中间设有中心阴极电极,中心阴极电极外围有间隔的设有两个同心方形环阴极电极,中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外面均包有阴极电极表面外的电极金属层;阴极电极表面外的电极金属层两两之间设置有二氧化硅保护层;连接部电极金属层通过连接中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外的阴极电极表面的电极金属层,将中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极连接起来;硅体另一端设置有下表面阳极电极,下表面阳极电极外面包有阳极电极表面外的电极金属层。本实用新型减小了探测器电容,简化了加压方式,降低了读电路的难度。
搜索关键词: 一种 具有 电容 简化 加压 方式 像素 探测器
【主权项】:
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