[实用新型]NLDMOS器件、锂电保护器件、芯片及电子产品有效
| 申请号： | 202022856082.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN213878099U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 宋利军;张子敏 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01M10/42;H01M10/052 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 朱鹏 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种NLDMOS器件，还提供了一种锂电保护器件、芯片及电子产品；其中NLDMOS器件包括BN区域、位于BN区域上方的N型阱区，位于该N型阱区中部的漏极，以及位于该漏极两侧，且与该漏极反向设置的第一栅极区域和第二栅极区域，其中第一栅极区域和第二栅极区域均为Trench结构；本实施例中的NLDMOS器件通过将器件的栅极改成Trench结构，从而使NLDMOS器件整体的耐压区域和电流区域从水平方向转向了垂直方向，从而不仅NLDMOS器件整体的面积大大缩小了，NLDMOS器件的导通电阻也得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 保护 芯片 电子产品 | ||
【主权项】：
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