[实用新型]一种碳化硅功率模块结构有效
| 申请号： | 202022864933.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN213816149U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/49;H01L23/15;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅功率模块结构，包括底板以及与所述底板装配连接的外壳；其中，所述底板上设置有覆铜基板，若干颗芯片并联对称分布，并通过焊料焊接在所述覆铜基板的覆铜层上，主电极端子和驱动电极端子通过超声波焊接的方式与所述覆铜层焊接连接。本申请采用多芯片并联对称分布方式，均流性较好。同时采用紧凑的叠层母排方式，使整个模块内部的杂散电感降低至约4nH。同时芯片的驱动辅助电极从芯片表面单独引出，这样避免了功率回路与驱动回路的耦合，可以降低产品的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 模块 结构 | ||
【主权项】：
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