[实用新型]一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置。其中，所述原子层沉积腔室包括腔体，腔体的顶部设置有进气口，腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，容纳槽用于容置工件，且工件的成膜区外露于腔体中，能够单次实现至少两个工件沉积，且避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。所述原子层沉积装置通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。