[实用新型]一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置有效
申请号: | 202022899285.0 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN214655367U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 杨永江 | 申请(专利权)人: | 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 张宇锋 |
地址: | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,包括石墨坩埚,石墨坩埚上设置有坩埚盖,坩埚盖的内侧固定设置有籽晶,石墨坩埚内装有原料,石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸,石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽,环形容纳槽内可拆卸的设置有压环,压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平,底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐,侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。本实用新型中通过增加压环与环形容纳槽,并且将侧部石墨纸以及底部石墨纸的局部结构进行改进,使得侧部石墨纸以及底部石墨纸的接合处的重合区域大大的增加,避免了石墨坩埚因为参与反应而导致的腐蚀情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 可靠 腐蚀 结构 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】:
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