[实用新型]一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202022899285.0 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN214655367U 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 杨永江 申请(专利权)人: 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 代理人: 张宇锋
地址: 100744 北京市大兴区经济*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,包括石墨坩埚,石墨坩埚上设置有坩埚盖,坩埚盖的内侧固定设置有籽晶,石墨坩埚内装有原料,石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸,石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽,环形容纳槽内可拆卸的设置有压环,压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平,底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐,侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。本实用新型中通过增加压环与环形容纳槽,并且将侧部石墨纸以及底部石墨纸的局部结构进行改进,使得侧部石墨纸以及底部石墨纸的接合处的重合区域大大的增加,避免了石墨坩埚因为参与反应而导致的腐蚀情况。
搜索关键词: 一种 具有 可靠 腐蚀 结构 碳化硅 晶体生长 装置
【主权项】:
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