[实用新型]一种太阳能硅片表面蚀刻装置有效
申请号: | 202022906899.7 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN213459662U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 张传祥;刘超 | 申请(专利权)人: | 合肥畅阳新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L31/18 |
代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 231600 安徽省合肥市肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能硅片表面蚀刻装置,包括蚀刻外壳体、液管、输液软管,所述蚀刻外壳体的下端四角处均固定连接设置有支撑脚,所述蚀刻外壳体的内部下端倾斜固定连接设置有蚀刻倾斜底板,所述蚀刻外壳体的下端固定安装设置有废液出管,所述蚀刻外壳体的上端设置有蚀刻液罐,所述蚀刻外壳体的上端固定连接设置有液泵,所述液泵的输入端通过液管与蚀刻液罐相连接。本实用新型通过蚀刻外壳体的下端设置蚀刻倾斜底板,并且在蚀刻外壳体的下端设置有废液出管,使用过后的蚀刻液可流入蚀刻倾斜底板内,并在倾斜的蚀刻倾斜底板内流入废液出管处,通过废液出管可对蚀刻废液进行集中处理,便于对蚀刻废液进行收集。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 表面 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造