[实用新型]一种近红外光电探测器有效
| 申请号： | 202022919397.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN214254350U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 龙明珠;栾佳宏;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L31/032;H01L31/101 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张建珍 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种近红外光电探测器，包括：绝缘衬底、电极、石墨烯层和锡掺杂氧化钼纳米薄膜；其中，电极包括正极和负极，正极和负极间隔相对设置于绝缘衬底上；石墨烯层搭设于正极和负极上；锡掺杂氧化钼纳米薄膜叠设于石墨烯层上。该近红外光电探测器包括石墨烯层和锡掺杂氧化钼纳米薄膜所形成的叠层结构，其通过利用锡插层氧化钼可减少氧化钼的禁带宽度，进而可实现对近红外光子的高效吸收，将光生载流子转移到石墨烯层，再利用石墨烯超高的迁移率将光生载流子传输到两端电极，从而可实现近红外波段光的高响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
