[实用新型]一种基于TO封装的碳化硅器件高效散热结构有效

专利信息
申请号: 202022920764.6 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN213816139U 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 王志超 申请(专利权)人: 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/367
代理公司: 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 代理人: 张宇锋
地址: 100744 北京市大兴区经济*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开的一种基于TO封装的碳化硅器件高效散热结构,包括壳体、顶盖与芯片组件,所述顶盖设置在壳体的顶部,壳体与顶盖之间围合成用于容纳芯片组件的密封空间,所述壳体的底部设置有壳座,壳座上设置有与密封空间的轮廓相对应的冷却水通过槽,壳座的两侧分别设置有与冷却水通过槽相连通的进水管与出水管,所述壳体的底部设置有散热柱,散热柱延伸至冷却水通过槽中并且散热柱的底端与冷却水通过槽的底面贴合设置。本实用新型通过采用水冷加散热柱的冷却结构,较现有的直片式散热结构来说,大大的提高了散热效率,使得相应的碳化硅器件能够工作在高温环境下以及应用在较大功率的系统中。
搜索关键词: 一种 基于 to 封装 碳化硅 器件 高效 散热 结构
【主权项】:
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