[实用新型]一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈有效

专利信息
申请号: 202022923198.4 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN214327965U 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 李聪;庞炳远;杨洪星;张伟才;郑万超;杨静;索开南;陈晨;王雄龙 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: C30B13/20 分类号: C30B13/20;C30B29/06;H05B6/36
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 李美英
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈,包括线圈主体和线圈冷却水管,线圈冷却水管嵌入线圈主体内,线圈主体为平板单匝结构,线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ,在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面;在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ;在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置下斜面;在线圈主体内圆下边缘处,设置一圈圆弧凸起;在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝,在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰,在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝,主缝宽度逐渐减小延伸至法兰处。本实用新型可以使熔区热场均匀、熔区温度梯度小、成晶率高。
搜索关键词: 一种 用于 法制 单晶硅 加热 线圈
【主权项】:
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