[实用新型]晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置有效
申请号: | 202022941576.1 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN213752639U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 许庆丰 | 申请(专利权)人: | 许庆丰 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置,其系指用于精密微调晶圆镀膜平台的微调装置,凭借精准的水平使晶圆均匀受热,有效降低产品的不合格率,并能同步纪录微调数据。其主要由固定板、调整台及微调装置所组成,而能利用微调装置上的棘轮调节器及微调外环,分别调控调整台两端的水平距离,令固定板能同步随之调整,供将固定板上的加热平台调整在理想的水平角度,使位于加热平台上的晶圆达到均匀受热,有效提升晶圆镀膜的品质,并凭借微调外环的限制,使调整台的移动高度范围在正负30密耳,以免调整角度过大,整体相当进步且实用。 | ||
搜索关键词: | 镀膜 加热 平台 水平 微调 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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