[实用新型]一种低容值低残压ESD器件

摘要

本实用新型公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种低容值低残压ESD器件，包括低容二极管D1、低容二极管D2、低容二极管D3、场管T1、穿通型钳位TVS和低残压TVS管T2，所述低容二极管D1阳极与场管T1漏极固定连接，所述低容二极管D1与所述低容二极管D2阴极形成第一端口IO2，所述场管T1源端与低残压TVS管T2的阴极形成第二端口IO2，所述低残压TVS管T2阳极与所述低容二极管D2阳极形成第三端口GND，所述低容二极管D2包括第二PPlus层和第四NPlus层，本实用新型有益效果是：采用低容二极管D1、低容二极管D2的降容作用，与场管T1串联，实现了低容低残压结构，同时利用低压穿通击穿特点实现了IO‑GND之间低压击穿特性。